電子陶瓷通常采用介電常數(shù)低的氧化鋁陶瓷加工而成，下面科眾陶瓷廠給大家介紹一下電容瓷器，不同的陶瓷成分有不同的介電常數(shù)，所以得到的電容瓷器也不近相同，分為低頻的與半導體電容瓷器。

用作電容器介質(zhì)的電子陶瓷。這類陶瓷用量大、規(guī)格品種也多。主要的有高頻、低頻電容器瓷和半導體電容器瓷。

高頻電容器瓷，屬于Ⅰ類電容器瓷，主要用于制造高頻電路中的高穩(wěn)定性陶瓷電容器和溫度補償電容器。構(gòu)成這類陶瓷的主要成分大多是堿土金屬或稀土金屬的鈦酸鹽和以鈦酸鹽為基的固溶體。

選用不同的陶瓷成分可以獲得不同介電常數(shù)、介質(zhì)損耗角正切 tanδ和介電溫度系數(shù)αε的高頻電容器瓷料，用以滿足各種溫度補償?shù)男枰１碇械乃拟佀徜^瓷不僅是一種熱穩(wěn)定性高的電容器介質(zhì)，而且還是一種優(yōu)良的微波介質(zhì)材料。

低頻電容器瓷 　屬于Ⅱ類電容器瓷，主要用于制造低頻電路中的旁路、隔直流和濾波用的陶瓷電容器。主要特點是介電常數(shù)ε 高，損耗角正切較大且tanδ及ε隨溫度的變化率較大。這類陶瓷中應用多的是以鐵電鈦酸鋇（BaTiO3）為主成分，通過摻雜改性而得到的高ε（室溫下可達20000）和ε的溫度變化率低的瓷料。以平緩相變型鐵電體鈮鎂酸鉛 (PbMg1/3Nb2/3O3）等為主成分的低溫燒結(jié)型低頻獨石電容器瓷料，也是重要的低頻電容器瓷。

半導體電容器瓷 　利用半導體化的陶瓷外表面或晶粒間的內(nèi)表面（晶界）上形成的絕緣層為電容器介質(zhì)的電子陶瓷。其中利用陶瓷晶界層的介電性質(zhì)而制成的邊界層電容器是一類新型的高性能、高可靠的電容器，它的介電損耗小、絕緣電阻及工作電壓高。這種陶瓷的視在介電常數(shù)極高（可達 105以上）、介質(zhì)損耗小（小于1%）、體電阻率高（高于 1011歐·厘米）、介質(zhì)色散頻率高（高于1吉赫）、抗潮性好，是一種高性能、高穩(wěn)定的電容器介質(zhì)。　鐵電陶瓷 ，以鐵電性晶體為主晶相的電子陶瓷。已發(fā)現(xiàn)的鐵電晶體不下千種，但作為鐵電陶瓷主晶相的主要有鈣鈦礦或準鈣鈦礦型的鐵電晶體或固溶體。

在一定的溫度范圍內(nèi)晶體中存在著可隨外加電場而轉(zhuǎn)變方向的自發(fā)極化，這就是晶體的鐵電性。當溫度超過某一臨界值──居里溫度TC時，其極化強度下降為零，晶體即失去鐵電性，而成為一般的順電晶體；與此同時，陶瓷噴嘴晶體發(fā)生鐵電相到順電相的相變。鐵電體的極化強度還隨電場而劇烈變化。

半導體陶瓷廠家的重要微觀特征是具有電疇結(jié)構(gòu)，即鐵電體具有許多沿特定方向自發(fā)極化到飽和的小區(qū)域──電疇。這些取向不同的電疇以疇壁分開。在相當強的外電場作用下，這種多疇晶體可以被電場強迫取向而單疇化。這種電疇隨外電場而反轉(zhuǎn)取向的動力學過程，包括疇壁的運動過程以及新疇成核和成長的過程。